Branche først: Samsung Electronics lancerer masseproduktion af HBM4-hukommelse og leverer kommercielle produkter til kunder

Samsung er blevet den første virksomhed i branchen til at opnå kommerciel levering af HBM4.

Ifølge officielle kilder adopterede Samsung direkte sin sjette generations 10nm-klasse DRAM-proces (1c) og kombinerede den med en 4nm logikproces.Dette muliggjorde stabilt udbytte og brancheførende ydeevne fra starten af ​​masseproduktionen uden at kræve yderligere redesign.

Samsung Electronics Executive Vice President og Head of Memory Development Sangjun Hwang udtalte, at virksomheden ikke stolede på eksisterende modne designs, men i stedet valgte at anvende 1c DRAM og 4nm logiske processer direkte til HBM4.Ved at udnytte procesfordele og designoptimeringsevner har virksomheden reserveret rigeligt ydeevne for at imødekomme kundernes løbende eskalerende højtydende krav efter behov.

Ydeevnemæssigt opnår HBM4 en stabil behandlingshastighed på 11,7 Gbps, cirka 46 % højere end branchens almindelige niveau på 8 Gbps, og repræsenterer en stigning på 1,22 gange i forhold til den forrige generation af HBM3E's maksimum på 9,6 Gbps.Maksimal ydeevne kan skaleres op til 13 Gbps for at løse dataflaskehalse forårsaget af udvidede AI-modelstørrelser.Single-stack-hukommelsesbåndbredden er steget til maksimalt 3,3 TB/s, en forbedring på 2,7 gange i forhold til HBM3E.

Samsung tilbyder kapaciteter fra 24 GB til 36 GB ved hjælp af 12-lags stablingsteknologi og planlægger at udvide kapaciteten til 48 GB via 16-lags stabling for at tilpasse sig fremtidige kundebehovscyklusser.

For at imødegå strømforbrug og termiske udfordringer fra fordobling af I/O-ben fra 1024 til 2048 integrerede Samsung lavstrømsdesign i kernechippen.Sammenlignet med HBM3E opnår HBM4 40 % højere strømeffektivitet, 10 % lavere termisk modstand og 30 % forbedret termisk ydeevne gennem kerneteknologier, herunder lavspændings-TSV-løsninger og PDN-optimering.

Samsung udtaler, at HBM4's fremskridt inden for ydeevne, energieffektivitet og pålidelighed vil hjælpe datacenterkunder med at øge GPU-gennemløbet, samtidig med at de samlede ejeromkostninger optimeres.

På produktionsniveau vil Samsung udnytte sin DRAM-produktionskapacitet og dedikerede infrastruktur til at sikre forsyningskædestabilitet midt i stigende HBM4-efterspørgsel.

Samsung planlægger også at udvide samarbejdet med globale GPU-producenter og hyperskalere datacenterklienter med fokus på næste generations ASIC-produktudvikling.

Virksomheden forventer, at HBM-salget vil mere end tredobles i 2026 sammenlignet med 2025, hvilket accelererer HBM4-kapacitetsudvidelsen.HBM4E forventes at begynde prøveudtagningen i anden halvdel af 2026, med tilpassede HBM-prøver leveret gradvist i 2027 i henhold til kundens specifikationer.